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- 型号： MMDF2P01HDR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2P01HDR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2P01HDR2价格参考。ON SemiconductorMMDF2P01HDR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF2P01HDR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF2P01HDR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF2P01HDR2 是安森美（onsemi）出品的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约0.12Ω @ Vgs = –4.5V）、小体积、快速开关特性及ESD保护。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与高效唤醒。 • DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适用于轻载高效设计），提升转换效率并减小发热。 • LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的电流开关与调光控制（PWM驱动），响应快、损耗低。 • H桥/半桥驱动电路：常作为上桥臂（配合N-MOSFET）构成低压直流电机驱动或小型继电器驱动电路，支持逻辑电平驱动（–2.5V至–12V栅极电压范围）。 • USB端口过流/反向保护：利用其低Rds(on)和快速关断能力，防止反向电流或短路损坏主控芯片。 该器件额定电压为–20V，连续漏极电流–1.8A（Ta=25°C），适合低压（≤5V系统）、中低电流（<2A）、空间受限的消费类与工业嵌入式应用。注意需合理布局PCB散热路径，并避免栅极悬空以确保可靠开关。
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