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- 型号： MMDF2N02ER2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF2N02ER2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF2N02ER2价格参考。ON SemiconductorMMDF2N02ER2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF2N02ER2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF2N02ER2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDF2N02ER2 是安森美（onsemi）出品的双通道N沟道增强型MOSFET阵列（采用SOT-23-6封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约1.8Ω @ Vgs=10V）、小尺寸、高集成度等特点。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其双管结构实现正向/反向路径控制或冗余供电切换。 2. DC-DC转换器次级侧同步整流：在小型升压/降压模块中，双MOSFET可分别用于主路与辅助路，提升转换效率并减小发热。 3. LED驱动与背光控制：用于多路LED电流调节或PWM调光，两路独立栅极便于分时或并行驱动不同LED组。 4. 电机驱动与H桥预驱：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的半桥驱动，配合外部逻辑或驱动IC实现方向控制。 5. 接口保护与热插拔电路：在USB、I²C等低压信号线上提供过流/短路保护，双管结构支持输入/输出隔离或电源轨缓冲。 该器件额定电压20V、连续漏极电流达0.25A（单通道），适合低压（≤5V系统）、小电流、空间受限场景，不适用于大功率或高压应用。需注意其栅极阈值电压较低（典型1–1.5V），设计时应避免误开启，并确保驱动信号兼容性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF2N02ER2 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 532pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF2N02ER2OS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A |
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