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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5263BLT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5263BLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5263BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5263BLT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5263BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5263BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5263BLT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为43 V（典型值），容差±5%，最大功率耗散为300 mW，采用SOT-23封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O端口提供稳定基准电压，尤其适用于输入电压波动较小的场合。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级敏感器件（如MCU、通信接口芯片）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，典型用于USB接口、工业I/O模块、电源输入端箝位。 3. 反馈回路稳压：在小功率开关电源或LDO反馈网络中作为精密分压/稳压元件，辅助实现输出电压调节（需注意其动态阻抗和温度系数影响精度）。 4. 电平钳位与信号调理：在模拟信号链中限制信号幅值（如将±45 V信号钳位至0–43 V范围），防止后级运放饱和或损坏。 该器件具有低泄漏电流（IR ≤ 0.1 µA @ VR）、良好温度稳定性（TC ≈ +0.07 %/°C）及快速响应特性，适合消费电子、工业控制、汽车电子（符合AEC-Q200 Grade 1）等对可靠性要求较高的场景。但不适用于大电流稳压或高频噪声抑制，设计时需注意散热与功率降额。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 56V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5263BLT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 43V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 150 欧姆 |
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