Datasheet下载- 型号： MMBZ5259BTS-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BTS-7-F价格参考￥0.64-￥0.64。Diodes Inc.MMBZ5259BTS-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5259BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5259BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5259BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款齐纳二极管阵列（双通道、共阴极结构），标称齐纳电压为 39 V（典型值，容差 ±5%），最大功率耗散为 200 mW（每通道），采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装。 其典型应用场景包括： 1. 电压钳位与过压保护：常用于电源输入端或信号线（如USB、I²C、GPIO等）的ESD及瞬态电压抑制，配合TVS或限流电阻，将异常高压钳位在39 V附近，防止后级IC损坏； 2. 精密稳压参考：在低功耗、非高精度要求的模拟电路中（如传感器偏置、ADC基准辅助电路），提供稳定参考电压； 3. 双路独立/共阴极稳压：因采用共阴极双芯片结构，适合需两路相同稳压电平的紧凑设计，例如双运放电源轨箝位、双通道信号调理电路的偏置稳压； 4. 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于机顶盒、智能电表、PLC模块、电机驱动控制板等对成本、尺寸和可靠性有要求的场景； 5. 替代传统单颗齐纳方案：节省PCB面积并提升装配效率，尤其适用于空间受限的便携设备。 注意：该器件不适用于大电流稳压（额定测试电流仅2.5 mA），也不建议作为主电源稳压器使用；实际应用中需校核功耗、温度降额及动态响应需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER TRIPLE 39V SOT363稳压二极管 200MW 39V |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5259BTS-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5259BTS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5259B |
| 配置 | Triple Parallel |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 39 V |
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