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  • 型号: MMBZ5259BS-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BS-7-F价格参考¥0.35-¥0.54。Diodes Inc.MMBZ5259BS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5259BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5259BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5259BS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),含两个独立、反向串联的 30V 齐纳二极管(典型稳压值为 ±30V,容差 ±5%)。其主要应用场景包括:

1. ESD 保护:常用于高速数据接口(如 USB、HDMI、LVDS、RS-485)的 I/O 引脚,利用其低钳位电压和快速响应(<1ns)特性,吸收瞬态静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4,±15kV 空气放电),保护后端 MCU、收发器等敏感器件。

2. 双向过压钳位与电压限制:在模拟信号路径(如传感器输入、音频线路)中,实现对称双向钳位,防止正负向过压损坏 ADC 或运放输入级;亦可用于电源轨(如 3.3V/5V 系统)的辅助稳压或浪涌抑制。

3. 精密参考与偏置电路:虽非高精度基准,但在成本敏感、中等精度要求场合(如电源监控、LED 电流设定)可提供稳定齐纳电压源。

4. 小尺寸空间受限设计:SOT-363(SC-70)封装支持高密度 PCB 布局,适用于便携设备(智能手机、TWS 耳机、IoT 传感器节点)及工业模块。

需注意:该器件为齐纳阵列而非 TVS 专用,最大峰值脉冲功率约 200W(8/20μs),不适用于大能量雷击防护;实际应用中建议配合限流电阻,并参考厂商推荐布局(短引线、就近接地)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER DUAL 39V SOT363稳压二极管 200MW 39V

产品分类

二极管/齐纳阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5259BS-7-F-

数据手册

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产品型号

MMBZ5259BS-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 30V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

MMBZ5259BS-FDITR
MMBZ5259BS7F

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

80 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

39V

电压容差

5 %

系列

MMBZ5259B

配置

Dual Anti Parallel

阻抗(最大值)(Zzt)

80 欧姆

齐纳电压

39 V

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