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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5259BS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5259BS-7-F价格参考¥0.35-¥0.54。Diodes Inc.MMBZ5259BS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5259BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5259BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5259BS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),含两个独立、反向串联的 30V 齐纳二极管(典型稳压值为 ±30V,容差 ±5%)。其主要应用场景包括: 1. ESD 保护:常用于高速数据接口(如 USB、HDMI、LVDS、RS-485)的 I/O 引脚,利用其低钳位电压和快速响应(<1ns)特性,吸收瞬态静电放电(IEC 61000-4-2 Level 4,±15kV 空气放电),保护后端 MCU、收发器等敏感器件。 2. 双向过压钳位与电压限制:在模拟信号路径(如传感器输入、音频线路)中,实现对称双向钳位,防止正负向过压损坏 ADC 或运放输入级;亦可用于电源轨(如 3.3V/5V 系统)的辅助稳压或浪涌抑制。 3. 精密参考与偏置电路:虽非高精度基准,但在成本敏感、中等精度要求场合(如电源监控、LED 电流设定)可提供稳定齐纳电压源。 4. 小尺寸空间受限设计:SOT-363(SC-70)封装支持高密度 PCB 布局,适用于便携设备(智能手机、TWS 耳机、IoT 传感器节点)及工业模块。 需注意:该器件为齐纳阵列而非 TVS 专用,最大峰值脉冲功率约 200W(8/20μs),不适用于大能量雷击防护;实际应用中建议配合限流电阻,并参考厂商推荐布局(短引线、就近接地)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 39V SOT363稳压二极管 200MW 39V |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5259BS-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5259BS-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMBZ5259BS-FDITR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5259B |
| 配置 | Dual Anti Parallel |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
| 齐纳电压 | 39 V |