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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5257C-HE3-08
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257C-HE3-08由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257C-HE3-08价格参考。VishayMMBZ5257C-HE3-08封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5257C-HE3-08参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5257C-HE3-08 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257C-HE3-08 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为68 V（容差±5%），最大功率耗散为250 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：常用于电源输入端或敏感IC引脚前，将瞬态电压（如ESD、浪涌）钳位在68 V附近，防止后级器件损坏； 2. 基准电压源：在低功耗、非高精度要求的模拟电路中，为比较器、ADC参考或偏置电路提供稳定基准电压； 3. 反馈回路稳压：配合光耦或误差放大器用于小功率开关电源（如AC-DC适配器、LED驱动器）的次级侧电压反馈，实现输出电压调节； 4. 信号电平限制：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）前端，限制信号摆幅，提升抗干扰能力； 5. 电池管理与检测：用于高压电池组（如多节锂电串联）的电压监测或均衡电路中，作为过压阈值检测元件。 该器件具有低漏电流（≤1 μA @ 54.4 V）、快速响应及良好温度稳定性，适用于工业控制、消费电子、汽车电子（符合AEC-Q200 Grade 1）等对可靠性要求较高的场景。需注意其额定功率有限，不适用于持续大电流稳压场合，设计时应校核功耗并留有足够裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5257C-HE3-08 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
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