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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257B-HE3-18由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257B-HE3-18价格参考。VishayMMBZ5257B-HE3-18封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5257B-HE3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5257B-HE3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5257B-HE3-18 是 Vishay Intertechnologies 推出的表面贴装(SMD)单齐纳二极管,标称稳压值为 62 V(容差 ±5%),最大功率耗散为 300 mW(@ Tₐ = 25°C),采用 SOT-23 封装。其典型应用场景包括: 1. 过压保护:常用于电源输入端或敏感模拟/数字电路(如微控制器I/O口、传感器接口)的瞬态电压抑制(TVS辅助或低成本替代),配合限流电阻实现简单可靠的钳位保护。 2. 基准电压源:在低功耗、非高精度场合(如电池供电设备中的电压检测、简易稳压反馈)提供稳定参考电压,适用于对温漂和长期稳定性要求不苛刻的电路。 3. 浪涌与ESD防护:凭借快速响应(齐纳击穿机制)及小型化封装,可用于消费电子(如TWS耳机、智能手环)中对低压侧信号线(如I²C、按键检测线)进行基础静电放电(IEC 61000-4-2 Level 2~3)防护。 4. 电源监控与阈值检测:与分压电阻配合,构成欠压/过压检测电路,用于系统复位控制或告警触发。 需注意:该器件为通用型齐纳管,未集成TVS的高脉冲功率能力,故不适用于大能量雷击或强工业浪涌场景;实际应用中须严格控制功耗(避免热失效)并考虑温度系数(约 +3.5 mV/°C)对精度的影响。建议查阅 Vishay 官方 datasheet 中的 I–V 曲线与热降额曲线以优化设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 5% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5257B-HE3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |