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- 型号： MMBZ5256BW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5256BW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5256BW-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5256BW-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5256BW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5256BW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5256BW-7 是 DIODES ZETEX（现属Diodes Incorporated）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为33V（容差±5%），功率150mW，采用SOD-323超小型封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗便携设备（如传感器模块、IoT节点、可穿戴设备）中，为ADC参考源、微控制器复位电路或模拟前端提供稳定33V基准电压。 2. 过压保护（OVP）：常与TVS或限流电阻配合，用于保护后级IC（如电源管理芯片、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害，尤其适用于3.3V/5V系统中对33V轨的间接钳位设计。 3. 信号电平箝位：在工业控制或通信电路中，限制信号摆幅（如CAN总线辅助保护、运放输入端限幅），防止超出器件绝对最大额定值。 4. 低成本稳压替代方案：在对精度和温度稳定性要求不苛刻的辅助电源分支（如LED偏置、偏置网络）中，替代线性稳压器以简化设计、节省空间。 需注意：该器件为单齐纳结构，无反向ESD防护能力，实际应用中建议串联限流电阻，并评估功耗（I×Vz）避免超温。因其小尺寸（1.7mm×1.25mm）和低寄生电容（约2pF），亦适用于高频敏感场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 30V 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5256BW-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 23V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 30V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 49 欧姆 |
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