Datasheet下载- 型号： MMBZ5253ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5253ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5253ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5253ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5253ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5253ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5253ELT1G是安森美（ON Semiconductor）推出的单颗贴片齐纳二极管，标称稳压值为33 V（容差±5%），额定功率为225 mW（SOT-23封装），最大测试电流IZT为7.8 mA，动态阻抗典型值约50 Ω。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定33 V基准电压（需配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，用于电源输入端或信号线的钳位保护，防止瞬态高压（如ESD、浪涌）损坏后级器件； 3. 反馈环路箝位：在开关电源（如DC-DC转换器）的光耦反馈或误差放大电路中，限制参考电压节点电平，提升系统稳定性； 4. 逻辑电平转换/接口保护：在工业通信接口（如RS-485、CAN）中辅助实现33 V容限的接收端电压箝位； 5. 电池管理系统（BMS）：用于高压电池组监测电路中的分压采样保护，防止采样点电压超限。 该器件采用SOT-23小尺寸封装，适合高密度PCB布局，具备良好温度稳定性（TCV约±0.07%/°C）和可靠ESD防护能力（HBM ≥8 kV），广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子（AEC-Q200认证）及通信设备中。注意：实际应用中需严格计算功耗并确保工作电流在安全范围内，避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 25V 225MW SOT23-3稳压二极管 225 W E-RATED ZENER 25V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMBZ5253ELT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5253ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 19V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 35 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 25V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5253E |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 35 欧姆 |
| 齐纳电压 | 25 V |
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