Datasheet下载- 型号： MMBZ5250ELT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5250ELT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5250ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5250ELT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5250ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5250ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5250ELT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为27 V（容差±5%），功率为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器复位电路提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态高压（如ESD或浪涌），保护后级IC（如MCU、通信接口）； 3. 电源轨箝位：用于DC-DC转换器反馈环路、LDO输入/输出端，防止异常升压损坏器件； 4. 信号电平限制：在模拟信号调理电路（如运放输入端）中限制电压摆幅，避免饱和或损坏； 5. 低成本稳压需求场合：如电池供电设备（烟雾报警器、IoT传感器节点）中的简单稳压，替代低压差线性稳压器以节省成本与空间。 该器件具有低动态阻抗（约40 Ω）、良好温度稳定性（TC ≈ 0.08%/°C）及AEC-Q200认证（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身模块）、消费类电子及通信设备等中可靠性要求场景。注意：需合理设计限流电阻以确保工作电流在5–20 mA最佳区间，并避免持续超功耗运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 20V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5250ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5250ELT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
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