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- 型号： MMBZ5250BW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5250BW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5250BW-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5250BW-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5250BW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5250BW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5250BW-7（Diodes Inc. / Pericom）是一款表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为100V（容差±5%），功率额定值为200mW，采用SOT-323（SC-70）超小型封装。其典型应用场景包括： 1. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC引脚前，作为瞬态电压抑制（TVS-like）元件，吸收ESD或浪涌脉冲（如IEC 61000-4-2 Level 2/3），防止后级电路受损。 2. 基准电压源：在低功耗、非精密场合（如电池电压监测、简单比较器参考）中提供约100V的稳定参考点，适用于对精度要求不高的分压反馈或阈值检测电路。 3. 箝位与限幅：在信号链中限制模拟信号或控制信号的峰值电压（如运放输出箝位、ADC输入保护），避免超出器件耐压范围。 4. 电源稳压辅助：配合线性稳压器或LDO使用，在负载突变时提供局部稳压，提升系统稳定性；亦可用于低压差电源的反馈环路补偿。 需注意：该器件为通用齐纳二极管，非专用TVS，不适用于高能量浪涌（如雷击）防护；其100V高稳压值适合中高压应用，但动态阻抗较高，不推荐用于高精度或大电流稳压场景。设计时应校验功耗（I×Vz ≤ 200mW）、温度降额及反向漏电流影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 20V 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5250BW-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 15V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | MMBZ5250BW |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 20V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
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