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- 型号： MMBZ5242BLT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5242BLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5242BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5242BLT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5242BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5242BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5242BLT1 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单齐纳二极管，属于 MMBZ52 系列。这款器件的典型应用场景包括： 1. 电压稳压 - MMBZ5242BLT1 的齐纳击穿电压为 4.7V，适用于低电压电路中的稳压功能。例如，在电源电路中，可以用来稳定输出电压，确保后级电路在特定电压范围内正常工作。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中，该齐纳二极管可以用于防止瞬态高电压对电路造成损害。例如，在信号输入端或电源输入端，它可以将电压限制在安全范围内，从而保护后续电路。 3. 参考电压源 - 由于其稳定的击穿电压特性，MMBZ5242BLT1 可用作简单的参考电压源。例如，在模拟电路或 ADC/DAC 电路中，提供一个基准电压以提高精度。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中，该齐纳二极管可用于箝位信号电平，防止信号超出允许范围。例如，在音频放大器或传感器信号调理电路中，避免信号失真或损坏。 5. ESD 防护 - MMBZ5242BLT1 可用于静电放电（ESD）防护，尤其是在接口电路中。它能够快速吸收瞬时高电压，保护敏感元件免受 ESD 损害。 6. 电池管理 - 在低功耗设备中，该齐纳二极管可用于监测电池电压，确保电池工作在安全电压范围内。例如，在便携式设备中，防止电池过充或过放。 特性概述： - 封装：SOD-123FL 小型表面贴装封装，适合高密度设计。 - 功率：最大耗散功率为 500mW（在 TA = 25°C 时）。 - 温度范围：-55°C 至 +175°C，适用于宽温环境下的工业和汽车应用。 总之，MMBZ5242BLT1 是一款经济高效的齐纳二极管，适用于各种需要电压稳压、保护和参考的应用场景，尤其适合对体积和功耗要求较高的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5242BLT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 9.1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMBZ5242BLT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 30 欧姆 |
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