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  • 型号: MMBZ5240ELT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5240ELT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5240ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5240ELT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5240ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5240ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5240ELT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为10 V(容差±5%),功率额定值为225 mW(在SOT-23封装下),最大反向电流(IZT)为20 mA,动态电阻低(典型值约15 Ω),响应快、温度稳定性好。

其典型应用场景包括:  
✅ 电源电压钳位与过压保护:用于IC输入/输出端口(如MCU、传感器接口),防止瞬态高压(如ESD或浪涌)损坏后级电路;  
✅ 基准电压源:在低成本、中低精度要求的模拟电路(如简易ADC参考、比较器阈值设定、电源监控电路)中提供稳定10 V基准;  
✅ 反馈环路稳压:配合三端稳压器或DC-DC转换器(如LDO外围电路),辅助构建精密反馈分压网络;  
✅ 信号电平限制:在通信接口(如RS-232、CAN收发器前端)中限制信号摆幅,防止超限输入;  
✅ 便携式与空间受限设备:得益于SOT-23微型封装,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、IoT节点等对尺寸和功耗敏感的场景。

该器件符合AEC-Q200标准(车规级可选版本),亦适用于工业控制、消费电子及汽车电子中的基础稳压与保护功能。需注意:不适用于高精度或大电流稳压场合,设计时应校核功耗(P = VZ × IZ)并留足降额余量。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5240ELT1G

PCN设计/规格

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PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 8V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBZ5240ELT1GOS

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

10V

阻抗(最大值)(Zzt)

17 欧姆

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