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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5240ELT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5240ELT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5240ELT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5240ELT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5240ELT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5240ELT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为10 V(容差±5%),功率额定值为225 mW(在SOT-23封装下),最大反向电流(IZT)为20 mA,动态电阻低(典型值约15 Ω),响应快、温度稳定性好。 其典型应用场景包括: ✅ 电源电压钳位与过压保护:用于IC输入/输出端口(如MCU、传感器接口),防止瞬态高压(如ESD或浪涌)损坏后级电路; ✅ 基准电压源:在低成本、中低精度要求的模拟电路(如简易ADC参考、比较器阈值设定、电源监控电路)中提供稳定10 V基准; ✅ 反馈环路稳压:配合三端稳压器或DC-DC转换器(如LDO外围电路),辅助构建精密反馈分压网络; ✅ 信号电平限制:在通信接口(如RS-232、CAN收发器前端)中限制信号摆幅,防止超限输入; ✅ 便携式与空间受限设备:得益于SOT-23微型封装,广泛应用于智能手机、可穿戴设备、IoT节点等对尺寸和功耗敏感的场景。 该器件符合AEC-Q200标准(车规级可选版本),亦适用于工业控制、消费电子及汽车电子中的基础稳压与保护功能。需注意:不适用于高精度或大电流稳压场合,设计时应校核功耗(P = VZ × IZ)并留足降额余量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5240ELT1G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 8V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5240ELT1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 17 欧姆 |