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- 型号： MMBZ5238BW-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5238BW-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5238BW-7价格参考。Diodes Inc.MMBZ5238BW-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5238BW-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5238BW-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5238BW-7 是一款表面贴装（SOD-323封装）、稳压值为8.2V（典型值）、容差±5%、最大功率耗散为200mW的单齐纳二极管，由Diodes Incorporated等厂商生产（品牌常标为“-”即无独立品牌，属通用型器件）。其主要应用场景包括： 1. 低功耗电压基准与稳压：适用于便携式设备（如TWS耳机、智能手环、传感器模块）中为ADC参考源、MCU复位电路或运放偏置提供稳定8.2V基准（常配合限流电阻使用）； 2. 过压保护（OVP）与ESD钳位：因响应快、结电容低（典型40pF），常用于USB接口、I²C总线或按键输入端，将瞬态电压钳位于8.2V附近，防止后级IC损坏； 3. 电源轨箝位与浪涌抑制：在低压DC-DC输出端（如3.3V/5V系统）中，与TVS或RC网络协同，吸收轻度浪涌或反向电动势； 4. 低成本替代方案：在对精度和温度稳定性要求不高的消费类电子中，替代更高成本的精密基准芯片。 注意：该器件为齐纳击穿型，动态阻抗较高（~35Ω），不适用于大电流稳压或高精度场景；实际应用需严格控制功耗（≤200mW），建议工作电流控制在1–10mA范围内以兼顾稳定性与温升。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 8.7V 200MW SOT323 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5238BW-7 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 6.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 8 欧姆 |
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