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- 型号： MMBZ5230BLT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5230BLT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5230BLT3G价格参考。ON SemiconductorMMBZ5230BLT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5230BLT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5230BLT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5230BLT3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为4.7 V（容差±5%），最大功率耗散为300 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为传感器、ADC参考源或微控制器I/O口提供稳定基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与限流电阻配合，钳位敏感信号线（如通信接口、模拟输入端）的瞬态过压（如ESD或浪涌），防止后级器件损坏； 3. 电源轨箝位：用于LDO输出端或电池供电系统中，抑制电压毛刺或反向电压； 4. 电平转换/信号整形：在数字逻辑接口中实现简单电平限制或波形削顶； 5. 消费电子与便携设备：因尺寸小（SOT-23）、成本低、响应快，广泛应用于智能手机、可穿戴设备、IoT模块等空间受限场景。 需注意：该器件适用于中小电流（≤20 mA）稳压场合，不建议用于大电流主电源稳压；设计时应结合限流电阻计算功耗，并考虑温度对稳压精度的影响（典型温度系数为+2.4 mV/°C）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ5230BLT3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 19 欧姆 |
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