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  • 型号: MMBZ5228BS-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5228BS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5228BS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5228BS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5228BS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5228BS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5228BS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的一款双路齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),每路标称稳压值为 3.9 V(典型值),容差 ±5%,最大齐纳阻抗约 19 Ω,功耗 200 mW(每路)。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与参考:为低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC 基准源)提供稳定、低成本的局部参考电压。

2. 过压保护(OVP)与 ESD 钳位:常用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口的瞬态抑制,配合 TVS 或限流电阻,钳位浪涌/ESD 脉冲至安全电平(如将 5 V 系统信号线钳位在 ≈3.9 V),防止后级 IC 损坏。

3. 电源轨箝位与稳压:在 LDO 或开关电源输出端作辅助稳压或冗余箝位,防止轻载时输出电压漂移超标;亦可用于电池供电设备中,对 3.3 V 或 3.7 V 电源进行精细稳压或阈值检测。

4. 逻辑电平转换与限幅:在混合电压系统(如 5 V MCU 与 3.3 V 外设通信)中,实现双向电平限幅,避免高电平超限损坏低压器件。

5. 精密分压/偏置网络:利用其稳定击穿特性,构建温度稳定性要求适中的偏置电路(如运放输入偏置、LED 恒流控制反馈点)。

该器件双通道共阴极结构、小尺寸 SOT-363 封装及低漏电流(≤5 µA @ 1 V)特性,使其特别适用于空间受限、多节点需协同保护/稳压的便携式设备(如智能手机、TWS 耳机、IoT 传感器节点)及工业控制模块。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER DUAL 3.9V SOT363

产品分类

二极管/齐纳阵列

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5228BS-7-F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

10µA @ 1V

产品目录绘图

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

MMBZ5228BS-FDICT

功率-最大值

200mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.9V

配置

2 个独立式

阻抗(最大值)(Zzt)

23 欧姆

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