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  • 型号: MMBZ5227BTS-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5227BTS-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5227BTS-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5227BTS-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5227BTS-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5227BTS-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5227BTS-7-F 是 Diodes Incorporated 推出的双齐纳二极管阵列(SOT-363 封装),内含两个独立、反向串联的 3.0 V(典型值)齐纳二极管(VZ = 3.0 V,容差 ±5%),最大功率 200 mW/二极管。其典型应用场景包括:

1. 低电压双向过压保护(TVS 功能):利用反向串联结构,可对信号线或电源轨(如 3.3 V 或 2.5 V 系统)提供±3.3 V 左右的钳位保护,抑制 ESD(如 IEC 61000-4-2 Level 2/3)、EFT 及浪涌干扰,常用于 USB、I²C、SPI、GPIO 等低压数字接口。

2. 精密电压基准与偏置电路:单个二极管可用作低成本、低功耗的 3.0 V 基准源(如为运放、ADC 提供参考或偏置),适用于便携式设备、传感器模块等对精度和功耗敏感的场景。

3. 电平转换与箝位电路:在逻辑电平转换器或模拟开关中,用作输入/输出端的电压箝位,防止信号超出安全范围,保护后级 CMOS 器件。

4. 电池供电设备中的稳压与检测:在小型物联网节点、可穿戴设备中,辅助实现简单稳压或电池电压监测(如配合分压+ADC 判定是否低于 3.0 V)。

该器件具备小尺寸(SOT-363)、低漏电流(IZK ≤ 5 µA)、快速响应及 AEC-Q200 可选版本(适用于汽车电子),广泛应用于消费电子、工业控制、通信模块及车载信息娱乐系统等对可靠性与空间有要求的领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER TRIPLE 3.6V SOT363

产品分类

二极管/齐纳阵列

品牌

Diodes Incorporated

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBZ5227BTS-7-F

PCN设计/规格

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

15µA @ 1V

供应商器件封装

SOT-363

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±5%

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

配置

3 个独立式

阻抗(最大值)(Zzt)

24 欧姆

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