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  • 型号: MMBZ5226B-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5226B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为3.3 V(典型),容差±5%,最大功率耗散为200 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括:

1. 低压电源稳压与电压基准:在3.3 V供电系统中为MCU、传感器或模拟电路提供低成本、小尺寸的参考电压或局部稳压,适用于对精度要求不苛刻的场合。

2. 过压保护与箝位:并联于敏感信号线(如I²C、UART接口)或电源输入端,限制瞬态电压(如ESD或开关噪声)不超过3.3 V,配合TVS或限流电阻使用,增强系统鲁棒性。

3. 电平转换与逻辑接口保护:在不同电压域(如5 V ↔ 3.3 V)通信中,辅助实现简单电平箝位,防止高电平信号损坏低压器件。

4. 消费电子与便携设备:广泛用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等空间受限场景,得益于SOT-23小体积和低功耗特性。

需注意:该器件为通用级齐纳管,温漂较大(约−1.7 mV/°C),不适用于高精度或宽温应用;设计时应确保工作电流在5–20 mA范围内以维持稳定击穿电压,并预留足够散热裕量。替代型号常选用ON Semi或Diodes Inc.同类产品,但TI版本具备原厂品质与供应链保障。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3稳压二极管 3.3V 350mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5226B-7-F-

数据手册

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产品型号

MMBZ5226B-7-F

PCN设计/规格

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RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

25µA @ 1V

产品目录页面

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产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOT-23-3

其它名称

MMBZ5226B-FDICT

其它图纸

功率-最大值

350mW

功率耗散

350 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

25 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

28 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.3V

电压容差

5 %

系列

MMBZ5226B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

28 欧姆

齐纳电压

3.3 V

齐纳电流

20 mA

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