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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5226B-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5226B-7-F价格参考。Diodes Inc.MMBZ5226B-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5226B-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5226B-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5226B-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的表面贴装型单齐纳二极管,标称稳压值为3.3 V(典型),容差±5%,最大功率耗散为200 mW,采用SOT-23封装。其典型应用场景包括: 1. 低压电源稳压与电压基准:在3.3 V供电系统中为MCU、传感器或模拟电路提供低成本、小尺寸的参考电压或局部稳压,适用于对精度要求不苛刻的场合。 2. 过压保护与箝位:并联于敏感信号线(如I²C、UART接口)或电源输入端,限制瞬态电压(如ESD或开关噪声)不超过3.3 V,配合TVS或限流电阻使用,增强系统鲁棒性。 3. 电平转换与逻辑接口保护:在不同电压域(如5 V ↔ 3.3 V)通信中,辅助实现简单电平箝位,防止高电平信号损坏低压器件。 4. 消费电子与便携设备:广泛用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块等空间受限场景,得益于SOT-23小体积和低功耗特性。 需注意:该器件为通用级齐纳管,温漂较大(约−1.7 mV/°C),不适用于高精度或宽温应用;设计时应确保工作电流在5–20 mA范围内以维持稳定击穿电压,并预留足够散热裕量。替代型号常选用ON Semi或Diodes Inc.同类产品,但TI版本具备原厂品质与供应链保障。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 350MW SOT23-3稳压二极管 3.3V 350mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated MMBZ5226B-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ5226B-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25µA @ 1V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | MMBZ5226B-FDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 350mW |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 25 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 28 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.3V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMBZ5226B |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 28 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.3 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |