【未分类_MMBZ5223BLT1】封装/厂家_MMBZ5223BLT1中文资料_价格

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型号： MMBZ5223BLT1
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5223BLT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5223BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5223BLT1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MMBZ5223BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5223BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBZ5223BLT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的表面贴装型单齐纳二极管，标称稳压值为3.0 V（典型），容差±5%，最大功率耗散为225 mW（SOT-23封装），反向漏电流低（≤10 µA @ 2.25 V），响应快、温度稳定性好。

其典型应用场景包括：  
1. 低压电源稳压与电压钳位：在3.3 V或更低电压的数字电路（如MCU、FPGA I/O口、传感器接口）中，用作过压保护或参考电压钳位，防止瞬态电压（如ESD、开关噪声）损坏敏感器件。  
2. 基准电压源：配合限流电阻构成简易低功耗基准，适用于精度要求不苛刻的模拟电路（如ADC参考、比较器阈值设定）。  
3. ESD与浪涌防护：集成于USB、I²C、SPI等低速信号线前端，吸收静电放电能量（IEC 61000-4-2 Level 2/3），提升系统鲁棒性。  
4. 电池供电设备保护：在纽扣电池（如CR2032）或单节锂电（3.0–3.7 V）应用中，防止电池反接或过压导致后级IC异常工作。  

该器件体积小（SOT-23）、成本低、可靠性高，广泛用于消费电子（TWS耳机、智能手环）、工业传感器节点、IoT模块及汽车电子（非安全关键子系统）等对空间和功耗敏感的场景。需注意：不适用于高精度或大电流稳压场合，设计时应严格校核功耗与散热条件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 2.7V 225MW SOT23-3
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMBZ5223BLT1
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	900mV @ 10mA
不同 Vr时的电流-反向漏电流	75µA @ 1V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMBZ5223BLT1OSCT
功率-最大值	225mW
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
容差	±5%
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度	-55°C ~ 150°C
标准包装	10
电压-齐纳（标称值）(Vz)	2.7V
阻抗（最大值）(Zzt)	30 欧姆