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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ18VALT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ18VALT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ18VALT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ18VALT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ18VALT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ18VALT1 是安森美(ON Semiconductor)推出的双向TVS(瞬态电压抑制)二极管,主要用于电路的静电放电(ESD)防护和瞬态过压保护。其击穿电压典型值为18V,钳位电压低(约29.2V@1A),响应时间小于1ns,封装为SOT-23(小型表面贴装),适合高密度PCB设计。 典型应用场景包括: ✅ 通信接口保护:如USB 2.0、RS-232/485、CAN总线等端口,防止雷击感应或热插拔引起的浪涌; ✅ 消费电子输入/输出端口:智能手机、平板、机顶盒的HDMI、音频接口、按键/触摸面板等,抵御人体静电(IEC 61000-4-2 Level 4,±8kV接触放电); ✅ 工业控制与传感器接口:PLC数字I/O、温度/压力传感器信号线,抑制开关噪声、继电器反电动势等瞬态干扰; ✅ 汽车电子辅助系统:车载信息娱乐(IVI)、车身控制模块(BCM)中非CAN-FD高速总线的低压信号线(需符合AEC-Q200可靠性认证,该型号已通过认证); ✅ 电源输入侧初级防护:配合MOV或保险丝,用于5–24V DC电源入口的二级ESD/浪涌防护(如PoE受电设备PD端)。 注意:该器件为双向结构,适用于交流或双向信号路径;不可替代稳压二极管作常规稳压;设计时需确保PCB布局短而宽,接地路径低感,并配合合理TVS选型(如功率等级、结电容<100pF)以兼顾防护性能与信号完整性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 14.5VWM 25VC SOT23 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBZ18VALT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ18VALT1OS |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿(最小值) | 17.1V |
| 电压-反向关态(典型值) | 14.5V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 25V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.6A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |