Datasheet下载- 型号： MMBV2107LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBV2107LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBV2107LT1G价格参考。ON SemiconductorMMBV2107LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBV2107LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBV2107LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBV2107LT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的超小型表面贴装硅变容二极管（Varactor Diode），采用SOT-23封装，具有低结电容（典型值约24 pF @ 4 V）、高Q值、良好电容可调比（C₄V/C₂₈V ≈ 3.5）及低串联电阻等特点。其主要应用场景集中于高频电子电路中的电压控制调谐功能： 1. 压控振荡器（VCO）：作为频率调谐元件，通过改变反向偏置电压调节结电容，实现对振荡频率的精确、快速控制，广泛用于无线通信收发模块（如蓝牙、Zigbee、ISM频段设备）。 2. 射频滤波与调谐电路：在可调带通/带阻滤波器、天线调谐网络（ANT Tuning）中，配合射频开关或PMIC实现动态阻抗匹配，提升多频段手机、物联网终端的接收灵敏度和发射效率。 3. 锁相环（PLL）频率合成器：作为环路中VCO的核心调谐器件，支持窄带宽、低相位噪声的频率合成，适用于基站、车载雷达及数字电视调谐器等系统。 4. 自动频率控制（AFC）电路：用于补偿温度或老化引起的频率漂移，保障射频系统长期稳定性。 该器件工作频率可达UHF（~1 GHz以上），适合要求小尺寸、低功耗与高可靠性的便携式及嵌入式无线应用。注意其需工作在反向偏置状态，不可正向导通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE TUNING SS 30V SOT-23 |
| 产品分类 | 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBV2107LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Vr、F时的Q值 | 350 @ 4V，50MHz |
| 不同 Vr、F时的电容 | 24.2pF @ 4V，1MHz |
| 二极管类型 | 单一 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-峰值反向（最大值） | 30V |
| 电容比 | 3.2 |
| 电容比条件 | C2/C30 |
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