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  • 型号: MMBTA13LT1
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBTA13LT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBTA13LT1价格参考。ON SemiconductorMMBTA13LT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBTA13LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBTA13LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBTA13LT1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款通用型双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它常用于低功率开关和放大电路中。

主要应用场景包括:

1. 开关电路:由于其良好的开关特性,MMBTA13LT1广泛应用于数字电路中的开关元件,如驱动LED、继电器、小型电机等负载。

2. 信号放大:该晶体管适用于音频和射频信号放大电路,常用于前置放大器、功率放大器等模拟电路中。

3. 逻辑电路接口:在数字系统中,用于电平转换或驱动高电流负载,作为微控制器或逻辑电路与外围设备之间的接口。

4. 电源管理:在一些低功耗电源管理系统中,作为控制元件使用,如DC-DC转换器或稳压电路中的开关管。

5. 消费类电子产品:常见于电视机、音响设备、家用电器等产品中,用于实现信号处理和控制功能。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴片安装,适合高密度PCB设计,适用于工业控制、通信设备和消费电子等多个领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS SS DARL NPN 30V SOT23

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MMBTA13LT1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 100µA, 100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

10000 @ 100mA,5V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBTA13LT1OSCT

功率-最大值

225mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

晶体管类型

NPN - 达林顿

标准包装

10

电压-集射极击穿(最大值)

30V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA(ICBO)

频率-跃迁

125MHz

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