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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBT6427LT3
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT6427LT3由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT6427LT3价格参考。ON SemiconductorMMBT6427LT3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBT6427LT3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBT6427LT3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT6427LT3 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 NPN 型双极结型晶体管（BJT），SOT-23 封装，具有高增益（hFE 典型值达 300）、低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=50mA）和良好开关特性。其典型应用场景包括： 1. 小信号放大：适用于便携式音频设备、传感器信号调理电路中的前置放大级，尤其适合低功耗、中频（≤100MHz）模拟信号放大。 2. 开关控制：广泛用于 LED 驱动、继电器/小型电磁阀驱动、电源使能控制等数字逻辑接口电路；可由 MCU GPIO 直接驱动（IB ≥ 0.5mA 即可饱和导通）。 3. 负载开关与电平转换：在电池供电设备（如 TWS 耳机、智能手环）中用作低压侧开关，实现模块供电管理或 3.3V/5V 系统间的电平兼容。 4. 保护与检测电路：配合电阻/二极管构成过流检测、反向电压防护或简易稳压基准辅助电路。 该器件工作结温范围 -55°C 至 +150°C，具备良好热稳定性与可靠性，符合 AEC-Q101（汽车级）标准，亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键信号处理环节。需注意：不适用于大功率或高频射频应用（如 RF 功放），且设计时应预留足够散热余量及基极限流电阻。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMBT6427LT3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 500µA， 500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20000 @ 100mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | - |
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