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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM5Z5V1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM5Z5V1T1G价格参考。ON SemiconductorMM5Z5V1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MM5Z5V1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM5Z5V1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 MM5Z5V1T1G 是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要功能是通过提供稳定的反向击穿电压来实现电压调节和保护电路。以下是该型号的应用场景: 1. 电压稳压 - MM5Z5V1T1G 的齐纳电压为 5.1V(典型值),适用于需要稳定电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以用于将输出电压限制在特定范围内,确保后级电路的正常工作。 - 常见应用包括简单的线性稳压器、参考电压源等。 2. 过压保护 - 在敏感电子设备中,MM5Z5V1T1G 可以用作过压保护元件。当输入电压超过齐纳电压时,二极管导通并将电压钳位在安全范围内,从而保护后续电路免受损坏。 - 例如,在传感器接口或通信线路中,防止瞬态高压对系统的影响。 3. 信号电平调整 - 在模拟电路中,齐纳二极管可以用来调整信号电平。例如,将高幅值信号限制在一个特定范围内,以适应后续放大器或 ADC 的输入要求。 4. 浪涌抑制 - 该齐纳二极管可用于抑制短时间内的电压浪涌。例如,在开关电源或电机驱动电路中,吸收由于电感负载引起的反向电动势(EMF),避免对其他元件造成损害。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的特性会受到温度影响,但通过合理设计,可以利用其温度系数进行补偿。例如,在精密测量电路中,结合其他元件实现温度稳定的性能。 6. 电池充电保护 - 在小型电池充电电路中,MM5Z5V1T1G 可以作为电压参考点,帮助控制充电电压,防止电池过充。 总结 MM5Z5V1T1G 的应用场景广泛,主要集中在电压稳压、过压保护、信号处理和电路保护等领域。由于其齐纳电压较低(5.1V),适合低电压系统的应用需求。同时,其紧凑的 SOD-123 封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD523稳压二极管 5.1V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM5Z5V1T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MM5Z5V1T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 |
| 其它名称 | MM5Z5V1T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±6% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-79,SOD-523 |
| 封装/箱体 | SOD-523 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.1V |
| 电压容差 | 6 % |
| 电压温度系数 | - 0.75 mV/K |
| 系列 | MM5Z5V1 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 60 欧姆 |
| 齐纳电压 | 5.1 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |