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MM3Z4V3ST1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z4V3ST1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z4V3ST1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z4V3ST1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.3V 300mW ±3% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z4V3ST1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z4V3ST1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MM3Z4V3ST1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 4.3V。该型号的齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压、过压保护或信号电平转换的电路中。以下是 MM3Z4V3ST1G 的一些典型应用场景: 1. 电压稳压 - 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。MM3Z4V3ST1G 可用于简单的线性稳压电路中,将输入电压钳位到 4.3V,为低功耗设备供电。 - 示例:为传感器、微控制器或其他对电压敏感的器件提供稳定的电源。 2. 过压保护 - 在输入端或输出端加入 MM3Z4V3ST1G,可以防止因瞬态高电压(如静电放电或浪涌)损坏下游电路。 - 示例:保护 USB 接口、音频输入/输出端口或模拟信号输入端免受过压影响。 3. 信号电平转换 - 在数字或模拟电路中,齐纳二极管可以用来钳位信号电平,确保信号在规定的范围内。 - 示例:将高于 4.3V 的信号限制为 4.3V,以适配后续电路的输入要求。 4. 基准电压源 - 利用齐纳二极管的稳定电压特性,MM3Z4V3ST1G 可作为基准电压源,用于比较器、运放或其他需要精确电压参考的应用。 - 示例:为 ADC(模数转换器)或 DAC(数模转换器)提供参考电压。 5. 电源监控电路 - 在电源监控电路中,齐纳二极管可用于检测电源电压是否低于或高于设定值,从而触发保护机制。 - 示例:设计一个 4.3V 的欠压或过压检测电路。 6. 射频和通信电路 - 在射频电路中,齐纳二极管可以用作限幅器,防止信号功率过大导致放大器或接收器损坏。 - 示例:保护射频前端模块免受过高输入信号的影响。 注意事项: - 使用时需根据实际电流需求选择合适的限流电阻,避免齐纳二极管过载。 - 考虑散热问题,尤其是在大功率应用中。 - 确保工作电压范围与齐纳电压匹配,以实现最佳性能。 总之,MM3Z4V3ST1G 适用于多种电子电路中的稳压、保护和信号处理场景,尤其适合低功耗和低成本的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323稳压二极管 4.3V 200mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z4V3ST1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MM3Z4V3ST1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | MM3Z4V3ST1GOSCT |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 90 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.3V |
| 电压容差 | 3 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/K |
| 系列 | MM3Z4V3S |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 90 欧姆 |
| 齐纳电压 | 4.3 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |