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  • 型号: MM3Z4V3ST1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MM3Z4V3ST1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MM3Z4V3ST1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MM3Z4V3ST1G价格参考。ON SemiconductorMM3Z4V3ST1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 4.3V 300mW ±3% Surface Mount SOD-323。您可以下载MM3Z4V3ST1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MM3Z4V3ST1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MM3Z4V3ST1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 4.3V。该型号的齐纳二极管广泛应用于需要稳定电压、过压保护或信号电平转换的电路中。以下是 MM3Z4V3ST1G 的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - 齐纳二极管的核心功能是提供稳定的参考电压。MM3Z4V3ST1G 可用于简单的线性稳压电路中,将输入电压钳位到 4.3V,为低功耗设备供电。
   - 示例:为传感器、微控制器或其他对电压敏感的器件提供稳定的电源。

 2. 过压保护
   - 在输入端或输出端加入 MM3Z4V3ST1G,可以防止因瞬态高电压(如静电放电或浪涌)损坏下游电路。
   - 示例:保护 USB 接口、音频输入/输出端口或模拟信号输入端免受过压影响。

 3. 信号电平转换
   - 在数字或模拟电路中,齐纳二极管可以用来钳位信号电平,确保信号在规定的范围内。
   - 示例:将高于 4.3V 的信号限制为 4.3V,以适配后续电路的输入要求。

 4. 基准电压源
   - 利用齐纳二极管的稳定电压特性,MM3Z4V3ST1G 可作为基准电压源,用于比较器、运放或其他需要精确电压参考的应用。
   - 示例:为 ADC(模数转换器)或 DAC(数模转换器)提供参考电压。

 5. 电源监控电路
   - 在电源监控电路中,齐纳二极管可用于检测电源电压是否低于或高于设定值,从而触发保护机制。
   - 示例:设计一个 4.3V 的欠压或过压检测电路。

 6. 射频和通信电路
   - 在射频电路中,齐纳二极管可以用作限幅器,防止信号功率过大导致放大器或接收器损坏。
   - 示例:保护射频前端模块免受过高输入信号的影响。

 注意事项:
- 使用时需根据实际电流需求选择合适的限流电阻,避免齐纳二极管过载。
- 考虑散热问题,尤其是在大功率应用中。
- 确保工作电压范围与齐纳电压匹配,以实现最佳性能。

总之,MM3Z4V3ST1G 适用于多种电子电路中的稳压、保护和信号处理场景,尤其适合低功耗和低成本的设计需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 4.3V 200MW SOD323稳压二极管 4.3V 200mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MM3Z4V3ST1G-

数据手册

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产品型号

MM3Z4V3ST1G

PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 1V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323

其它名称

MM3Z4V3ST1GOSCT

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±3%

封装

Reel

封装/外壳

SC-76,SOD-323

封装/箱体

SOD-323

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

3 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

90 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

4.3V

电压容差

3 %

电压温度系数

- 1.75 mV/K

系列

MM3Z4V3S

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

90 欧姆

齐纳电压

4.3 V

齐纳电流

10 mA

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