Datasheet下载- 型号： MLD1N06CLT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MLD1N06CLT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MLD1N06CLT4G价格参考。ON SemiconductorMLD1N06CLT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MLD1N06CLT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MLD1N06CLT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAKMOSFET 62V 1A N-Channel |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MLD1N06CLT4GSMARTDISCRETES™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MLD1N06CLT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 59 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 59 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 3 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | MLD1N06CLT4GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 4 ns |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 应用 | 通用 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | NPN，N 通道栅极至漏极，汇极钳位 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 1.4 S |
| 电压-额定 | 65V |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 额定电流 | 1A |
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