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  • 型号: MJD42C1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MJD42C1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD42C1G价格参考。ON SemiconductorMJD42C1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD42C1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD42C1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MJD42C1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要功率放大和开关功能的电子电路中,以下是其主要应用场景:

1. 功率放大:
   - MJD42C1G 可用于音频功率放大器中,作为输出级的驱动晶体管。它能够提供足够的电流增益和功率处理能力,适合低频或中频信号的功率放大。
   - 在工业控制设备中,可用于放大传感器信号或其他弱电信号。

2. 开关应用:
   - 该晶体管可以作为高电流开关使用,适用于继电器驱动、电机控制、LED 驱动等场景。
   - 在电源管理电路中,可用来实现负载开关功能,控制大电流负载的通断。

3. 电机驱动:
   - 在小型直流电机或步进电机驱动电路中,MJD42C1G 能够提供所需的驱动电流,确保电机正常运行。
   - 可用于 H 桥电路中的功率级元件,实现电机的正转、反转和制动功能。

4. 电源电路:
   - 在线性稳压电源中,可以用作调整管,帮助稳定输出电压。
   - 在某些开关电源设计中,可用作辅助驱动晶体管,参与功率转换过程。

5. 照明控制:
   - 适用于驱动高亮度 LED 灯串,特别是在需要调光或恒流控制的应用中。
   - 可用于汽车照明系统,如尾灯、刹车灯或仪表盘背光控制。

6. 通信设备:
   - 在低频通信设备中,MJD42C1G 可用作信号放大或功率输出级晶体管。

 特性支持
- 高电流能力:MJD42C1G 的集电极最大电流可达 8A,适合需要较大电流的应用。
- 耐高压:其集电极-发射极击穿电压为 80V,能够在较高电压环境下稳定工作。
- 低饱和电压:在开关应用中,能够减少功耗并提高效率。

总之,MJD42C1G 适合需要中等功率处理能力的工业、消费类和汽车电子应用,尤其是在需要高效能开关和功率放大的场合中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS POWER PNP 6A 100V IPAK两极晶体管 - BJT 6A 100V 20W PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD42C1G-

数据手册

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产品型号

MJD42C1G

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 600mA,6A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

15 @ 3A,4V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

I-Pak

功率-最大值

1.75W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

3 MHz (Min)

安装类型

通孔

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK

工厂包装数量

75

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

1.75 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

6 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

75

电压-集射极击穿(最大值)

100V

电流-集电极(Ic)(最大值)

6A

电流-集电极截止(最大值)

50µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

30 at 0.3 A at 4 V, 15 at 3 A at 4 V

系列

MJD42C

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

100 V

集电极—基极电压VCBO

100 V

频率-跃迁

3MHz

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