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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD32CTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD32CTF价格参考。Fairchild SemiconductorMJD32CTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD32CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD32CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD32CTF是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型功率晶体管。该晶体管常用于需要较高电流和功率处理能力的电路中。 典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:由于MJD32CTF具备较高的集电极电流和功率耗散能力,适合用于DC-DC转换器、开关电源等电路中作为开关元件。 2. 电机驱动电路:该晶体管可应用于小型电机或继电器的控制电路中,作为驱动开关使用。 3. 音频放大器:在低频功率放大电路中,如音响设备的输出级,MJD32CTF可作为功率放大元件使用。 4. 工业控制设备:用于工业自动化系统中的负载开关控制,如加热元件、LED灯组或执行器的驱动电路。 5. 汽车电子系统:适用于车载电源管理、照明控制等场景,因其具备良好的热稳定性和可靠性。 封装形式为TO-220AB,便于散热,适合高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,并配合适当的散热片使用,以确保稳定性和寿命。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 100V 3A DPAK两极晶体管 - BJT PNP Epitaxial Sil |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MJD32CTF- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD32CTF |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 375mA,3A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 10 @ 3A,4V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | MJD32CTFCT |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 3 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 15 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 3 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
电流-集电极截止(最大值) | 50µA |
直流电流增益hFE最大值 | 50 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
系列 | MJD32 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
集电极—基极电压VCBO | - 100 V |
集电极—射极饱和电压 | - 1.2 V |
集电极连续电流 | - 3 A |
频率-跃迁 | 3MHz |