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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MID75-12A3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MID75-12A3价格参考。IXYSMID75-12A3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MID75-12A3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MID75-12A3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOD IGBT RBSOA 1200V 900A Y3-DCBIGBT 模块 75 Amps 1200V |
产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
IGBT类型 | NPT |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 模块,IXYS MID75-12A3- |
NTC热敏电阻 | 无 |
数据手册 | |
产品型号 | MID75-12A3 |
不同 Vce时的输入电容(Cies) | 3.3nF @ 25V |
不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.7V @ 15V,50A |
产品 | IGBT Silicon Modules |
产品种类 | IGBT 模块 |
供应商器件封装 | Y4-M5 |
功率-最大值 | 370W |
功率耗散 | 370 W |
商标 | IXYS |
在25C的连续集电极电流 | 90 A |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | Screw |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | Y4-M5 |
封装/箱体 | Y4-M5-7 |
工厂包装数量 | 6 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
栅极—射极漏泄电流 | 200 nA |
标准包装 | 6 |
电压-集射极击穿(最大值) | 1200V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 90A |
电流-集电极截止(最大值) | 4mA |
系列 | MID75 |
输入 | 标准 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
集电极—射极饱和电压 | 1.2 kV |