Datasheet下载- 型号： MD7P19130HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MD7P19130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD7P19130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMD7P19130HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MD7P19130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MD7P19130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MD7P19130HR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1930–2170 MHz），采用高可靠性陶瓷封装（SOT-1228A），支持高增益、高效率和高线性度运行。 其主要应用场景包括： ✅ 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放模块，支持多载波、高带宽（如20 MHz LTE）信号放大，满足ACLR与EVM严苛指标； ✅ 5G Sub-6 GHz 前传/微基站（Small Cell）：在3GPP n1/n2/n25/n41等频段中，作为中功率PA核心器件，兼顾效率（典型PAE >55% @ 1.95 GHz）与热稳定性； ✅ 无线通信基础设施：适用于TDD/FDD制式基站、分布式天线系统（DAS）、有源天线单元（AAU）中的射频发射链路； ✅ 工业与专用通信系统：如公共安全宽带（e.g., TETRA/LTE-based P25）、专网无线系统及宽带直放站等对可靠性与温度适应性（-40°C 至 +150°C结温）要求高的场景。 该器件需配合匹配电路、偏置网络及高效散热设计使用，常搭配NXP配套驱动器（如MML09312）及数字预失真（DPD）技术以优化线性性能。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MD7P19130HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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