Datasheet下载- 型号： MD7P19130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MD7P19130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MD7P19130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMD7P19130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MD7P19130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MD7P19130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MD7P19130HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.9–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：1930–1995 MHz 及 2110–2170 MHz），常用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站的末级功率放大器（PA）。其典型应用场景包括：宏基站（Macrocell）和微基站（Microcell）中的多载波宽带功率放大模块；支持高效率（典型 PAE ≥ 55% @ 1960 MHz）、高线性度（满足 ACLR/ACPR 要求）的 TD-LTE/FDD-LTE 基站发射链路；以及小尺寸、高可靠性要求的有源天线单元（AAU）和分布式皮基站（picoBTS）。该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222），具备优异热性能与功率密度（连续波输出功率达 130 W，脉冲模式更高），支持 Doherty 架构及数字预失真（DPD）校准。广泛应用于通信设备制造商（如爱立信、诺基亚、中兴等）的无线接入网（RAN）设备中，适用于室外宏站覆盖、室内深度覆盖及热点增强等场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH RF 28V 40W NI780H-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MD7P19130HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 130W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.25A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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