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MCP14E9-E/P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP14E9-E/P由Microchip设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供MCP14E9-E/P价格参考以及MicrochipMCP14E9-E/P封装/规格参数等产品信息。 你可以下载MCP14E9-E/P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有MCP14E9-E/P详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCP14E9-E/P 是 Microchip Technology 推出的一款高性能双通道高速 MOSFET 栅极驱动器(PMIC 类),采用 8 引脚 PDIP 封装,工作温度范围为 -40°C 至 +125°C,符合工业级可靠性要求。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS):用于驱动同步整流 MOSFET 或主开关管(如在 LLC 谐振、反激、Buck/Boost 变换器中),凭借 4.5A 峰值拉电流与 4.5A 灌电流能力及 25ns 快速传播延迟,显著提升转换效率与开关频率。 - 电机驱动系统:适用于小功率有刷直流电机、步进电机或 BLDC 电机的半桥/全桥驱动电路,可直接驱动高侧/低侧 N 沟道 MOSFET,简化外围设计(无需电荷泵或自举二极管)。 - LED 驱动与调光控制:在高亮度 LED 恒流驱动器中,驱动 PWM 开关管实现高效调光与过流保护。 - 工业自动化与电源模块:广泛用于 PLC 输出级、DC-DC 模块、电池管理系统(BMS)中的隔离式栅极驱动接口等对响应速度和鲁棒性要求较高的场合。 该器件集成欠压锁定(UVLO)、交叉导通抑制及热关断保护,支持 4.5V–18V 宽电压供电,兼容 TTL/CMOS 输入逻辑,具备强抗干扰能力,适用于空间受限且需高可靠性的嵌入式电源管理场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 3A 8PDIP门驱动器 2A MOSFET Driver |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Microchip Technology MCP14E9-E/P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCP14E9-E/P |
| PCN组件/产地 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5776&print=view |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | MCP14E9EP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Microchip Technology |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | PDIP-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 延迟时间 | 45ns |
| 最大功率耗散 | 1.12 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 3A |
| 电源电压-最大 | 18 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电流 | 1800 uA |
| 类型 | Dual High Speed Power MOSFET Driver |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出电流 | 3 A |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值(自举) | - |