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Datasheet下载- 型号： MCP14E11-E/P
- 制造商： Microchip
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MCP14E11-E/P产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCP14E11-E/P由Microchip设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供MCP14E11-E/P价格参考以及MicrochipMCP14E11-E/P封装/规格参数等产品信息。 你可以下载MCP14E11-E/P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有MCP14E11-E/P详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCP14E11-E/P 是 Microchip Technology 推出的一款单通道高速、大电流（峰值±4 A）、低侧MOSFET/IGBT栅极驱动器，采用PDIP-8封装，工业级温度范围（–40°C 至 +125°C），具有欠压锁定（UVLO）、短路保护及快速传播延迟（典型25 ns）等特性。 其典型应用场景包括： - 中小功率DC-DC转换器（如同步Buck、Boost拓扑）中驱动下管N沟道MOSFET； - 电机驱动系统（如步进电机、BLDC风扇或小型有刷直流电机）的H桥低侧开关控制； - LED恒流驱动电路中用于PWM调光的功率开关驱动； - 电源模块与AC-DC适配器的次级同步整流或初级低侧驱动； - 工业控制板与嵌入式电源管理单元中需高可靠性、强抗干扰能力的栅极驱动环节。 该器件不支持高侧驱动或自举供电，故不适用于半桥高端直接驱动；但凭借高驱动能力、低延迟和宽温稳定性，特别适合对开关速度、效率及鲁棒性有要求的中高频（可达1–5 MHz）开关电源与电机控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 3A 8DIP门驱动器 2A MOSFET Driver |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,Microchip Technology MCP14E11-E/P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCP14E11-E/P |
| PCN组件/产地 | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationDetails.aspx?id=5776&print=view |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 产品 | MOSFET Gate Drivers |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 其它名称 | MCP14E11EP |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Microchip Technology |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-8 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 60 |
| 延迟时间 | 45ns |
| 最大功率耗散 | 1.12 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 60 |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 3A |
| 电源电压-最大 | 18 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 电源电流 | 1800 uA |
| 类型 | Dual High Speed Power MOSFET Driver |
| 输入类型 | 反相和非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出电流 | 3 A |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
