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  • 型号: MCH3456-TL-E
  • 制造商: SANYO Semiconductor Company
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3456-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3456-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor CompanyMCH3456-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3456-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3456-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MCH3456-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能N沟道增强型RF MOSFET,采用超小型SOT-723封装(尺寸仅1.0×0.6×0.37 mm),具备低栅极电荷(Qg ≈ 0.9 nC)、低输入电容(Ciss ≈ 28 pF)及优异的高频开关特性(fT > 500 MHz)。其典型应用场景聚焦于小型化、高效率、中低功率射频前端模块,尤其适用于:

- 智能手机与可穿戴设备:作为LTE/Wi-Fi/Bluetooth射频功率放大器(PA)的驱动级或末级开关器件,支持2.4–5.8 GHz频段,满足5G Sub-6 GHz和Wi-Fi 6E对紧凑布局与低功耗的需求;  
- 无线通信模块:用于IoT终端、智能表计、无线传感器节点中的射频收发开关(T/R switch)或负载调制电路,得益于其快速开关速度(tON/tOFF < 10 ns)和低导通电阻(RDS(on) typ. 2.5 Ω @ VGS=4.5V);  
- 便携式医疗电子:如蓝牙体征监测设备中的射频信号路径控制,兼顾EMI抑制与电池续航;  
- 汽车远程无钥匙进入(RKE)及TPMS系统:在125 kHz/315/433 MHz频段实现高效射频信号调制与发射。

该器件工作电压范围为2.5–6 V,支持逻辑电平驱动,无需外部电平转换,显著简化PCB设计。其AEC-Q200可靠性认证(部分批次)亦使其可拓展至车规级低功耗射频应用。需注意:非专用于大功率射频输出(如基站PA),典型连续波输出功率建议≤100 mW。
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