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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3444-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3444-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH3444-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH3444-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH3444-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3444-TL-E 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能射频N沟道MOSFET,采用超小型SOT-723封装(1.0 mm × 0.6 mm),具备低栅极电荷(Qg ≈ 0.9 nC)、低输入电容(Ciss ≈ 25 pF)和优异的跨导特性,专为高频、小信号射频开关与放大应用优化。 典型应用场景包括: ✅ 智能手机与平板射频前端模块(RFFE):用于天线调谐开关、载波聚合(CA)路径切换、主/辅天线切换,支持Sub-6 GHz频段(如700 MHz–3.8 GHz),满足5G NR多频段需求; ✅ Wi-Fi 6/6E终端设备:在2.4 GHz / 5 GHz / 6 GHz射频收发链路中作T/R开关或功率控制开关,实现低插入损耗(典型0.35 Ω Rds(on) @ Vgs=2.5V)与高隔离度; ✅ 物联网(IoT)与可穿戴设备:凭借微型封装与低功耗特性,适用于空间受限的蓝牙LE、Zigbee、NB-IoT模块中的射频路径管理; ✅ 射频功率检测与偏置控制电路:配合定向耦合器或检波器,实现动态功率调节与PA保护功能。 该器件支持1.8 V–4.5 V逻辑兼容驱动,ESD防护达HBM ±2 kV,符合AEC-Q200(车载级)可靠性标准,亦广泛用于工业无线传感器及智能电表等高可靠性场景。其快速开关(tON/tOFF < 10 ns)与低热阻设计,保障了高频连续工作下的稳定性和能效。