图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MCH3144-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3144-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3144-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH3144-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH3144-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3144-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH3144-TL-E 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET（注意：并非双极性晶体管BJT，而是MOSFET），但用户描述中“分类为晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个”存在明显错误。该器件实际为单N沟道逻辑电平MOSFET（非BJT），采用SOT-723超小型封装，VDS = −30 V，ID = −0.2 A（连续），RDS(on)典型值仅1.5 Ω（VGS = −4.5 V），具备低导通电阻、快速开关及ESD保护特性。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的负载开关（如智能手机、TWS耳机中的电源管理模块）； ✅ 电池供电系统的反向电流阻断与电源路径控制（如USB接口保护、充电管理）； ✅ LED驱动电路中的低功耗开关（驱动指示灯或背光）； ✅ IoT传感器节点、可穿戴设备等空间受限场景的高效、微型化电源切换； ✅ 逻辑电平兼容的微控制器（如3.3 V/1.8 V GPIO）直接驱动的低压侧开关应用。 需特别注意：因封装极小（0.6×0.3×0.3 mm）、电流能力有限，不适用于大功率或高频率开关场景。设计时应重视PCB散热与焊接工艺，并确认驱动电压满足逻辑电平要求（VGS(th)典型−0.9 V）。建议查阅ON Semiconductor官方数据手册（DS-MCH3144-TL-E）以获取准确电气参数与应用指南。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 2A 30V MCPH3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MCH3144-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 260mV @ 75mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 100mA，2V |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMB，扁平引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 440MHz |
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