Datasheet下载- 型号： MBRM110LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRM110LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRM110LT3G价格参考。ON SemiconductorMBRM110LT3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MBRM110LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRM110LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBRM110LT3G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单整流二极管，常用于电源转换和整流电路中。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换电路中的整流部分，将交流电转换为直流电，适用于适配器、充电器、电源模块等。 2. 反激式变换器：在小功率电源拓扑中作为输出整流二极管使用，常见于LED驱动电源、家电电源模块等。 3. 续流二极管（Flyback Diode）：用于保护开关元件（如MOSFET或晶体管），防止感性负载断电时产生的反向电动势造成损坏，常见于继电器、电机驱动电路中。 4. 电池充电电路：在某些线性或开关式充电管理电路中用于防止电流倒灌。 5. 消费类电子产品：如机顶盒、路由器、小型家电等设备的内部电源模块中。 该器件采用表面贴装封装（SOD-123），体积小、可靠性高，适合自动化生产和空间受限的设计需求。同时其低正向压降特性有助于提高电源效率，降低发热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE肖特基二极管与整流器 1A 10V Low Vf |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRM110LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRM110LT3G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 365mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 10V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | Powermite |
| 其它名称 | MBRM110LT3GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-216AA |
| 封装/箱体 | POWERMITE |
| 峰值反向电压 | 10 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 12000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 500 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.415 V at 2 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 23°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 10V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MBRM110L |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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