【未分类_MBRB3045CT-E3/81】封装/厂家_MBRB3045CT-E3/81中文资料_价格

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型号： MBRB3045CT-E3/81
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MBRB3045CT-E3/81由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRB3045CT-E3/81价格参考。VishayMBRB3045CT-E3/81封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MBRB3045CT-E3/81参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MBRB3045CT-E3/81 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Semiconductor Diodes Division 的 MBRB3045CT-E3/81 是一款肖特基整流器阵列，其主要应用场景包括以下几个方面：

 1. 电源管理
   - 该型号适用于直流-直流转换器（DC-DC Converter）中的续流二极管或同步整流电路。由于其低正向压降（典型值约为0.3V），能够有效减少功率损耗，提高电源效率。
   - 在开关电源（SMPS）中，可以用于输出整流阶段，确保高效的能量传递。

 2. 逆变器和电机驱动
   - 在逆变器设计中，MBRB3045CT-E3/81 可用作自由轮二极管（Free-wheeling Diode），帮助吸收感性负载产生的反电动势，保护开关器件。
   - 对于电机驱动应用，该二极管可处理电机绕组的反向电流，防止过压损坏控制电路。

 3. 太阳能与能源系统
   - 在光伏系统中，作为旁路二极管（Bypass Diode）使用，避免因部分电池板被遮挡而导致整个系统性能下降。
   - 在能量存储系统中，可用于电池充电电路中的电流隔离，防止逆向放电。

 4. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，这款二极管适合用于车载充电器、LED驱动电路以及发动机控制单元（ECU）中的信号保护。
   - 它还可应用于汽车启动系统中的电压调节，确保稳定供电。

 5. 消费类电子产品
   - 在笔记本适配器、手机充电器等便携式设备中，作为整流元件提供高效的电力转换。
   - 用于音频放大器或家用电器中的电源输入保护，防止电流倒流。

 总结
MBRB3045CT-E3/81 凭借其高浪涌电流能力（IFSM=160A）、快速恢复特性（trr=25ns）以及紧凑的TO-252封装形式，非常适合需要高效整流和保护功能的应用场景。它广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 45V 15A TO263AB肖特基二极管与整流器 45 Volt 30A Dual Common-Cathode
产品分类	二极管，整流器 - 阵列分离式半导体
品牌	Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors MBRB3045CT-E3/81-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MBRB3045CT-E3/81MBRB3045CT-E3/81
不同If时的电压-正向(Vf)	600mV @ 20A
不同 Vr时的电流-反向漏电流	1mA @ 45V
二极管类型	肖特基
二极管配置	1 对共阴极
产品	Schottky Rectifiers
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	TO-263AB
包装	带卷（TR）
反向恢复时间(trr)	-
商标	Vishay Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK (TO-263AB)
峰值反向电压	45 V
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
工厂包装数量	800
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	1000 uA
最大工作温度	+ 150 C
最大浪涌电流	200 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	800
正向电压下降	0.76 V
正向连续电流	30 A
电压-DC反向(Vr)（最大值）	45V
电流-平均整流(Io)（每二极管）	15A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）
配置	Dual Common Cathode