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MBRA120ET3G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBRA120ET3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBRA120ET3G价格参考。ON SemiconductorMBRA120ET3G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, Diode Schottky 20V 1A Surface Mount SMA。您可以下载MBRA120ET3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBRA120ET3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MBRA120ET3G是一款肖特基势垒二极管,属于二极管-整流器-单类型器件。该器件具有低正向压降(典型值为0.32V至0.45V)、高效率和快速开关特性,适用于对能效和响应速度要求较高的电路设计。 MBRA120ET3G常用于以下应用场景: 1. 开关电源(SMPS):在小功率AC-DC或DC-DC转换器中作为输出整流二极管,提升转换效率并减少热损耗。 2. 消费类电子产品:如手机充电器、机顶盒、路由器等设备中的电源模块,利用其低功耗特性延长设备寿命。 3. 便携式设备:因封装小型化(SOD-123表面贴装),适合空间受限的应用,如移动电源、蓝牙耳机等。 4. 逆变器与续流保护电路:在电机驱动或LED驱动电路中用作续流二极管,防止反向电压损坏敏感元件。 5. 太阳能充电系统:用于防止电池反向放电,提高光伏系统的可靠性。 该器件额定电流为1A,反向耐压20V,工作温度范围宽(-65°C 至 +125°C),符合RoHS环保标准,并采用无铅、绿色封装,适用于工业级和消费级环境。凭借其高可靠性和稳定性,MBRA120ET3G广泛应用于高效、紧凑型电源解决方案中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMA肖特基二极管与整流器 1A 20V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBRA120ET3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBRA120ET3G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SMA |
| 其它名称 | MBRA120ET3GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
| 封装/箱体 | SMA |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 10 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 40 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.595 V at 2 A |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 34°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 系列 | MBRA120ET3 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |