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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR4045PT-E3/45由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR4045PT-E3/45价格参考¥6.19-¥15.21。VishayMBR4045PT-E3/45封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MBR4045PT-E3/45参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR4045PT-E3/45 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 MBR4045PT-E3/45 是一款肖特基整流器二极管阵列,属于二极管 - 整流器 - 阵列类别。以下是其典型应用场景: 1. 电源管理 - 直流-直流转换器:用于升压、降压或升降压转换器中的整流功能,提高效率并减少开关损耗。 - 线性稳压器辅助电路:在低压差稳压器(LDO)中作为保护或辅助元件。 2. 逆变器和电机驱动 - 续流二极管:在开关电源和电机驱动电路中,用于释放电感负载产生的反向电流,保护主开关器件(如MOSFET或IGBT)。 - 能量回收:在电动车辆或工业电机中,用于将再生能量反馈到电源系统。 3. 太阳能光伏系统 - 旁路二极管:防止部分遮挡或故障模块影响整个光伏阵列的性能。 - 最大功率点跟踪(MPPT)电路:在能量转换过程中提供高效的整流功能。 4. 通信设备 - 信号隔离与保护:在高速通信接口中,用于隔离不同电压域并保护敏感电路。 - 电源模块:为基站、路由器等设备提供高效稳定的电源支持。 5. 消费电子 - USB充电保护:在快速充电器或移动设备中,防止反向电流损坏电池或其他组件。 - 音频放大器:在功率放大器电路中,用于保护输出级并改善音质。 6. 汽车电子 - 车载充电系统:在电动汽车或混合动力汽车中,用于电池管理系统(BMS)和DC-DC转换器。 - 发动机控制单元(ECU):在点火系统和传感器接口中,提供保护和整流功能。 7. 工业自动化 - PLC输入/输出保护:在可编程逻辑控制器中,防止过压或反向电流对系统造成损害。 - 伺服驱动器:在精密运动控制系统中,用于能量回收和负载保护。 MBR4045PT-E3/45 的低正向压降(典型值为0.45V)和高浪涌电流能力(IFSM = 180A),使其非常适合需要高效整流和高可靠性的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 45V 40A TO3P肖特基二极管与整流器 40 Amp 45 Volt |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors MBR4045PT-E3/45- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR4045PT-E3/45MBR4045PT-E3/45 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 800mV @ 40A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 45V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 其它名称 | MBR4045PT |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-247AD |
| 峰值反向电压 | 45 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 750 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向电压下降 | 0.8 V |
| 正向连续电流 | 40 A |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 45V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 40A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Common Cathode |