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MBR1635G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR1635G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR1635G价格参考。ON SemiconductorMBR1635G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 35V 16A TO-220-2。您可以下载MBR1635G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR1635G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBR1635G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款肖特基整流二极管,属于二极管中的整流器类别。该器件广泛应用于需要高效、高频整流的电路中。 主要参数特点: MBR1635G 是单整流二极管,最大平均整流电流为16A,峰值反向电压为35V,采用肖特基结构,具有较低的正向压降(约0.55V),从而减少功耗,提高效率。其封装为TO-220AC,便于散热,适用于较高功率的应用场景。 典型应用场景: 1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中作为输出整流元件,利用其低正向压降提高电源效率。 2. DC-DC转换器:在同步整流或非同步整流拓扑中用于提高转换效率,尤其在中高功率的DC-DC模块中表现优异。 3. 电池充电器:用于电池充电电路中,作为防止电流倒灌的隔离二极管或主整流元件。 4. 工业控制设备:在工业自动化系统中的电源模块、电机驱动电路中作为整流和保护元件。 5. 通信设备电源:适用于通信基站、路由器、服务器等设备的电源系统中,满足高可靠性和高效率要求。 总之,MBR1635G 凭借其高电流能力、低损耗和良好散热性能,适用于多种中高功率的电源和整流应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220-2肖特基二极管与整流器 16A 35V |
产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR1635GSWITCHMODE™ |
数据手册 | |
产品型号 | MBR1635G |
不同If时的电压-正向(Vf) | 630mV @ 16A |
不同 Vr、F时的电容 | - |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 35V |
二极管类型 | 肖特基 |
产品 | Schottky Diodes |
产品目录页面 | |
产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
供应商器件封装 | TO-220-2 |
其它名称 | MBR1635GOS |
包装 | 管件 |
反向恢复时间(trr) | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-2 |
封装/箱体 | TO-220-2 |
峰值反向电压 | 35 V |
工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | Silicon |
最大反向漏泄电流 | 200 uA |
最大工作温度 | + 175 C |
最大浪涌电流 | 150 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 50 |
正向电压下降 | 0.63 V |
正向连续电流 | 16 A |
热阻 | 1.5°C/W Jc |
电压-DC反向(Vr)(最大值) | 35V |
电流-平均整流(Io) | 16A |
系列 | MBR1635 |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
配置 | Single |