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  • 型号: MBR1100G
  • 制造商: ON Semiconductor
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MBR1100G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MBR1100G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR1100G价格参考。ON SemiconductorMBR1100G封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 通孔 二极管 100V 1A 轴向。您可以下载MBR1100G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR1100G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MBR1100G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基整流二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类别。它具有低正向电压降(典型值为0.45V@1A)和快速恢复时间的特点,适用于多种电子电路中的整流、保护和电源管理功能。以下是其主要应用场景:

 1. 电源适配器和开关电源(SMPS)
   - MBR1100G 的低正向压降特性使其非常适合用于开关电源中的次级整流。它可以减少功率损耗,提高效率,尤其在小功率或便携式设备的电源适配器中表现优异。

 2. 太阳能电池板保护
   - 在太阳能发电系统中,MBR1100G 可以用作防反接二极管或旁路二极管,防止电流倒流或部分电池板被遮挡时引起的热斑效应。

 3. USB充电电路
   - 该二极管可用于USB充电接口的保护电路中,防止外部设备对主机供电时产生反向电流,从而保护电路免受损坏。

 4. 电机驱动和H桥电路
   - 在小型直流电机驱动电路中,MBR1100G 可以作为续流二极管,释放电感性负载产生的反电动势,避免损坏开关元件。

 5. 汽车电子应用
   - 在汽车电子系统中,MBR1100G 可用于保护电路免受电池反接或负载突降的影响。例如,在汽车音响、传感器或其他低功耗模块中提供可靠的整流功能。

 6. 电池充电保护
   - 该二极管可以防止电池组在充电过程中出现电流反向流动的情况,确保充电过程的安全性和稳定性。

 7. 信号隔离与保护
   - 在需要单向电流传输的应用中,MBR1100G 可用于隔离输入和输出信号,同时保护敏感电路免受过压或反向电流的影响。

 总结
MBR1100G 凭借其低正向压降、高效率和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。它的典型额定值为1A/100V,适合中小型功率的整流和保护需求。选择此型号时,需根据实际工作条件(如电流、电压和环境温度)进行合理设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE SCHOTTKY 100V 1A AXIAL肖特基二极管与整流器 1A 100V

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR1100G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MBR1100G

不同If时的电压-正向(Vf)

790mV @ 1A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500µA @ 100V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

轴向

其它名称

MBR1100G-ND
MBR1100GOS

包装

散装

反向恢复时间(trr)

-

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

封装/箱体

DO-41

峰值反向电压

100 V

工作温度-结

-65°C ~ 175°C

工作温度范围

- 65 C to + 175 C

工厂包装数量

1000

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

500 uA

最大工作温度

+ 175 C

最大浪涌电流

50 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,000

正向电压下降

0.79 V

正向连续电流

1 A

热阻

-

电压-DC反向(Vr)(最大值)

100V

电流-平均整流(Io)

1A

系列

MBR1100

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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