Datasheet下载- 型号： MASMBJ5.0AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MASMBJ5.0AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MASMBJ5.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMASMBJ5.0AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MASMBJ5.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MASMBJ5.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的MASMBJ5.0AE3是一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于低电容ESD保护器件。其主要应用场景如下： 1. 数据线保护：该型号适用于高速数据接口的静电放电（ESD）保护，例如USB、HDMI、以太网等。其低电容特性（典型值约为2 pF）确保对信号完整性的影响最小，同时能够有效抑制瞬态电压。 2. 通信设备：在无线通信模块、路由器、调制解调器等设备中，MASMBJ5.0AE3可用于保护射频（RF）端口和控制信号线免受雷击感应浪涌或ESD损害。 3. 消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中，保护敏感电路免受外部环境中的静电干扰。 4. 工业自动化：在工业控制设备中，如传感器、PLC模块和通信总线（如RS-232/RS-485），这款TVS二极管可提供可靠的过压保护，防止因电磁干扰或电缆放电引起的损坏。 5. 汽车电子：尽管具体耐受能力需根据车规标准验证，但在某些非关键车载系统中，MASMBJ5.0AE3也可用于保护CAN总线、LIN总线或其他低速信号线路。 6. 医疗设备：在需要高可靠性的医疗仪器中，此TVS二极管可以保护患者监测设备、诊断工具的输入/输出端口，避免因意外接触导致的电路故障。 总之，MASMBJ5.0AE3凭借其快速响应时间（<1 ns）、低钳位电压以及出色的重复浪涌能力，成为各种电子系统中过压保护的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MASMBJ5.0AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | SMBJ（DO-214AA） |
| 其它名称 | 1086-5561 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AA，SMB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.4V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 65.2A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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