Datasheet下载- 型号： MAP6KE6.8AE3
- 制造商： MICRO-SEMI
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MAP6KE6.8AE3由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MAP6KE6.8AE3价格参考。MICRO-SEMIMAP6KE6.8AE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MAP6KE6.8AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MAP6KE6.8AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip子公司）的MAP6KE6.8AE3是一款瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于电路中对敏感电子元件进行过电压和静电放电（ESD）保护。 该型号的击穿电压为6.8V，适用于对低压电路进行保护，常见应用场景包括： 1. 通信设备：用于保护通信接口（如RS-232、RS-485、CAN总线等）免受静电和瞬态电压损害。 2. 工业控制系统：在PLC、传感器和执行器接口中提供瞬态保护，增强系统稳定性与可靠性。 3. 消费电子产品：如机顶盒、显示器、家用电器等，用于保护电源和信号线路。 4. 汽车电子：用于车载电子系统的电源和数据线路保护，满足汽车环境中较高的电磁干扰（EMI）和电压波动要求。 5. 电源管理电路：在电源输入端作为第一道防线，吸收因雷击、开关切换或静电引起的电压浪涌。 MAP6KE6.8AE3采用轴向引线封装，具备较高的浪涌吸收能力，适合用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。其快速响应时间和低钳位电压特性，使其能有效保护后级电路不受瞬态高压损害。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC T18 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/index.php?option=com_docman&task=doc_download&gid=9518 |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MAP6KE6.8AE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 其它名称 | 1086-4586 |
| 功率-峰值脉冲 | 600W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6.45V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5.8V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 10.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 57A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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