Datasheet下载- 型号： LM5114BSDX/NOPB
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LM5114BSDX/NOPB由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LM5114BSDX/NOPB价格参考。Texas InstrumentsLM5114BSDX/NOPB封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LM5114BSDX/NOPB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LM5114BSDX/NOPB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
LM5114BSDX/NOPB是Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能半桥栅极驱动器，属于PMIC - 栅极驱动器类别。该器件主要用于驱动N沟道MOSFET的高侧和低侧栅极，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及电源管理系统中。 典型应用场景包括：同步降压转换器、升压转换器、半桥与全桥拓扑电源设计，尤其适用于工业电源、电信设备、服务器电源和电动车充电系统等对效率和可靠性要求较高的场合。LM5114采用BiCMOS工艺制造，支持高达100V的偏置电压，具备较强的驱动能力和良好的热稳定性。 其集成的高低侧驱动结构可有效控制功率MOSFET的开关过程，减少开关损耗，提高系统能效。同时，该芯片内置欠压锁定（UVLO）保护功能，确保在电源电压不稳定时安全工作。封装形式为SOIC-8（带裸焊盘），便于散热和PCB布局，适合紧凑型高功率密度设计。 此外，LM5114BSDX/NOPB符合RoHS标准，无铅无卤，适用于对环保要求较高的工业与通信应用。凭借其高可靠性、宽工作电压范围和优异的抗噪声能力，成为中高功率电源设计中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET GATE DRVR 7.6A 6LLP |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | LM5114BSDX/NOPB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-WSON （3x3） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 参考设计库 | http://designs.digikey.com/library/4294959904/4294959903/961 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 延迟时间 | 14ns |
| 标准包装 | 4,500 |
| 电压-电源 | 4 V ~ 12.6 V |
| 电流-峰值 | 1.3A， 7.6A |
| 输入类型 | 反相和非反相 |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 低端 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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