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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供L2K212BJ105KD-T由TAIYO YUDEN-XENTEK设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 L2K212BJ105KD-T价格参考。TAIYO YUDEN-XENTEKL2K212BJ105KD-T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载L2K212BJ105KD-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有L2K212BJ105KD-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Taiyo Yuden(太阳诱电)的L2K212BJ105KD-T是一款多层陶瓷电容网络(Capacitor Array),属于8引脚、4通道(4×)、每通道1.0 μF ±10%、额定电压6.3 V、X5R温度特性的表面贴装器件(0402尺寸单体,整体封装为0504)。其典型应用场景包括: - 电源去耦与局部滤波:广泛用于高速数字IC(如SoC、FPGA、MCU、DDR内存接口)的VDD/VSS引脚附近,抑制高频噪声(数十MHz至数百MHz),提升电源完整性。 - EMI/EMC抑制:集成于USB、HDMI、MIPI等高速串行接口的信号线旁路路径中,配合共模扼流圈使用,降低传导与辐射干扰,满足IEC 61000-4-2/4-4等EMC标准。 - 便携式电子设备中的空间优化设计:在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备等对PCB面积敏感的产品中,以单颗阵列替代4颗独立0402电容,节省布板空间、减少焊点数量、提高贴装效率与可靠性。 - 模拟前端(AFE)与传感器供电滤波:为高精度ADC、图像传感器(CIS)、MEMS麦克风等提供低噪声、低ESL的局部稳压支持。 该器件具备低等效串联电感(ESL)和良好高频特性,适合100 MHz以上频段应用;但不适用于大纹波电流或高温(>85℃)持续工况。选型时需注意X5R温漂特性及直流偏压导致的容值衰减。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP ARRAY 1.0UF 10V X5R 0805 |
| 产品分类 | 电容器阵列 |
| 品牌 | Taiyo Yuden |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | L2K212BJ105KD-T |
| PCN过时产品 | |
| PCN零件编号 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 介电材料 | 陶瓷 |
| 其它名称 | 587-1043-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | 0805(2012 公制) |
| 标准包装 | 10 |
| 温度系数 | X5R |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 1.0µF |
| 电容器数 | 2 |
| 电路类型 | 隔离 |
| 高度-安装(最大值) | 0.033"(0.85mm) |