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- 型号： KSE13009FTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSE13009FTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSE13009FTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSE13009FTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSE13009FTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSE13009FTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSE13009FTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型高反压、大电流双极结型晶体管（BJT），主要面向高功率开关应用。其典型参数包括：VCEO = 400 V、IC = 12 A、PD ≈ 100 W（带散热器），具备快速开关特性和良好的二次击穿耐受能力。 该器件广泛应用于中小功率开关电源（如LED驱动电源、适配器、充电器）中的主开关管；也可用于电子镇流器、荧光灯/LED照明控制电路；在家电领域，常见于电磁炉、微波炉的IGBT驱动级或辅助电源开关；此外还适用于DC-DC变换器、电机控制（如小功率风机、水泵的PWM驱动）、电焊机辅助电源及UPS后备电源模块等场景。 其TO-220F（全绝缘封装）结构便于安装散热片，同时提供电气隔离，提升了系统安全性与可靠性。需注意：实际使用中应合理设计基极驱动电路（推荐采用图腾柱驱动或专用驱动IC），并确保足够的散热与过压/过流保护（如RC缓冲电路、快速熔断器），以充分发挥其高耐压、大电流优势并延长寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 两极晶体管 - BJT |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSE13009FTU |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | 9 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/箱体 | TO-220F |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 12 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 系列 | KSE13009 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 700 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 3 V |
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