Datasheet下载- 型号： KSC2333YTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供KSC2333YTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSC2333YTU价格参考。Fairchild SemiconductorKSC2333YTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载KSC2333YTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSC2333YTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KSC2333YTU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款NPN型双极结型晶体管（BJT），常用于通用开关和放大电路。该晶体管具有较高的开关速度和良好的稳定性，适用于中低功率应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关等，实现对电流的高效控制。 2. 马达驱动与继电器控制：作为开关元件，控制马达或继电器的启停，适用于家电和工业控制设备。 3. 音频放大电路：在低频功率放大器中作为驱动级或输出级，提供信号放大功能。 4. 数字逻辑电路：在需要电平转换或信号驱动的场合中使用，如微控制器外围电路。 5. 传感器接口电路：用于放大传感器输出的小信号或作为开关控制外部设备。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-23），适合高密度PCB布局，广泛应用于消费电子、汽车电子及工业自动化等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 400V 2A TO-220两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSC2333YTU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | KSC2333YTU |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 100mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 400V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 80 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | KSC2333 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 500 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | - |
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