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  • 型号: JM38510/23106BEA
  • 制造商: National Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供JM38510/23106BEA由National Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JM38510/23106BEA价格参考。National SemiconductorJM38510/23106BEA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JM38510/23106BEA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JM38510/23106BEA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

JM38510/23106BEA 是一款符合美军标(MIL-STD-883)的高速双极型静态随机存取存储器(SRAM),由多家美国半导体厂商(如Texas Instruments、Fairchild等)生产,属于JAN(Joint Army-Navy)认证的军用级器件。其典型容量为2K×8位(即16Kb),采用双列直插陶瓷封装(CDIP),工作温度范围宽(-55℃~+125℃),具备高抗辐射性、高可靠性与长寿命特性。

该器件主要应用于对可靠性、环境适应性和长期稳定性要求极高的航空航天、国防电子与关键工业控制系统中,例如:  
- 卫星星载计算机的缓存或实时数据暂存;  
- 战术导弹制导系统的飞行控制单元(FCU)中的状态寄存器与中间变量存储;  
- 军用雷达/声呐信号处理板卡的高速缓冲存储;  
- 核电站安全级仪表与控制(I&C)系统中需满足DO-254或IEC 61508 SIL认证的冗余存储模块;  
- 老旧军用平台(如F-16、B-52升级系统)的备件替换与生命周期支持。

需注意:该型号已停产多年,属经典军用“冷门器件”,当前多用于设备维护、翻新或高可靠性替代方案设计,不适用于消费类或商用嵌入式场景。应用时须严格遵循MIL-HDBK-103等军用采购与筛选规范。
产品参数 图文手册 常见问题
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