| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供JAN1N6470由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JAN1N6470价格参考。MICRO-SEMIJAN1N6470封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载JAN1N6470参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有JAN1N6470 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JAN1N6470是Semtech Corporation生产的一款符合军用规格(JAN,Joint Army-Navy)的半导体器件,属于“其他”分类。该型号为高压、高反向击穿电压的齐纳二极管,主要用于需要稳定电压参考和过压保护的严苛环境。 其典型应用场景包括航空航天、国防军工系统中的电源稳压电路、电压基准源以及浪涌保护电路。由于具备军品级可靠性(如高温、高湿、辐射和机械应力下的稳定性),JAN1N6470常用于卫星通信系统、导弹控制系统、雷达设备和军用航空电子设备中。此外,该器件也可应用于高可靠性工业控制系统和深空探测仪器等对元器件寿命与稳定性要求极高的领域。 JAN1N6470具有严格的制造和测试标准,确保在极端工作条件下仍能保持性能一致,因此不适用于普通民用电子产品。其封装形式通常符合MIL-STD标准,便于集成于军用模块中。总之,该器件主要服务于对安全性和长期稳定性有极高要求的高端技术领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11064-sd49a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JAN1N6470 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | 轴向 |
| 其它名称 | 1086-2284 |
| 功率-峰值脉冲 | 1500W (1.5kW) |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | G,轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 6.5V |
| 电压-反向关态(典型值) | 6V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 11V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 775A (8/20µs) |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |